Міністерство освіти і науки України

ОДЕСЬКИЙ НАЦІОНАЛЬНИЙ ПОЛІТЕХНІЧНИЙ УНІВЕРСИТЕТ

Інститут радіоелектроніки та телекомунікацій

Кафедра інформаційної безпеки



Протокол до лабораторної роботи №4

ДОСЛІДЖЕННЯ ХАРАКТЕРИСТИК ДЖЕРЕЛ ОПТИЧНОГО ВИПРОМІНЮВАННЯ



Виконав студент групи РТ-061 Виконав студент групи РТ-061

_______________ Перфілов Д.Г.

(підпис)

____________________2010 р.

Перевірив доц. каф. ІБ

_____________ Єфімчиков О.М.

(підпис)

____________________2010 р.



Одеса 2010

1. Мета роботи



Дослідження основних характеристик напівпровідникових джерел оптичного випромінювання.

Дослідження електро-оптичних перетворювачів (ЕОП), які використовують у волоконно-оптичних системах передавання (ВОСП) інформації.

2. Схема лабораторного макета



Рис. 4.1 – Принципова схема макета



2. Домашня робота



2.1. Обчислимо в діапазоні струмів Iн = 0...100 мА потужність, випромінювану ДВ за формулою



Побудований графік наведений на рис. 4.2. Дана ВтАХ відповідає суперлюмінесцентному діоду (СЛД).



Рис. 4.2 – ВтАХ джерела випромінювання



2.2. Оптичний відгук джерела випромінювання



2.3. Знайдемо за побудованою ВтАХ діапазон струмів накачування, який відповідає лазерному режиму роботи джерела випромінювання



0.008 мА < I н < 0.07 мА.



Висновки: у результаті лабораторної роботи ознайомився з основними характеристиками напівпровідникових джерел оптичного випромінювання; булла побудована ват-амперна характеристика за відомими коефіцієнтами апроксимації; за побудованою ВтАХ були знайдені оптичний відгук і діапазон струмівнакачування.