Міністерство освіти і науки України

ОДЕСЬКИЙ НАЦІОНАЛЬНИЙ ПОЛІТЕХНІЧНИЙ УНІВЕРСИТЕТ

Інститут радіоелектроніки і телекомунікацій

Кафедра радіотехнічних пристроїв



ПОЯСНЮВАЛЬНА ЗАПИСКА

до розрахунково-графічної роботи з дисципліни:

Компонентна база РЕЗ

Варіант 16



Розробив студент групи РТ-103

______________Полонський П.І.

(підпис)

_____________________2012 р.

Перевірила: ств.каф. РТП

________________ Куценко О.П.

(підпис)

_____________________2012р.



Одеса 2012



ЗМIСТ



1. Вхідні дані……………………………………………………...……………….3

2. Розрахунки .........................................................................……..……………..4

3. Вхідні характеристики транзистора КТ 315В……………..…………………4

4. Вихідні характеристики транзистора КТ 315В………………………………6 5. Література………………………………………………………….…………...9



1.1 Вхідні дані



Транзистор включений в підсилювальний каскад по схемі з ЗЕ. Каскад живиться від одного джерела з напругою Eк. Для постачання зміщення в колі бази ввімкнений резистор Rб. Від джерела Uвх на вхід підсилювача подається сигнал синусоїдальної форми



Рис.1 – Підсилювальний каскад



Транзистор: КТ 315В

Тип : n – р –n транзистор призначений для підсилювання електричних коливань

Дано:

Eк=18 В

Rн=750 Ом

Iб0=0,25 мА

Iбм=0,15 мА









1.2 Розрахунки

Використовуючи рівняння лінії навантаження на сімейство вихідних характеристик наносимо лінію навантаження (рис. 1.1)

Для цього знайдемо дві точки: 1)

2)



Рис. 1.1 – Вихідна характеристика транзистора



Точка перетину навантаження з характеристикою, відповідної постійної складової струму бази Iб0=250 мкА, визначить робочу точку. Їй відповідатимуть постійна складова струму колектора Iк0=5,7 мА і постійна складова напруги Uкэ0 = 14 В.

Амплітуду змінної складової струму колектора визначимо як середнє значення

(.)HYPER15

Тоді







Амплітуда змінної напруги на навантаженні обчислюється



(.)HYPER15



Тоді отримаємо

tion.3HYPER14HYPER15



Коефіцієнт посилення по струму розраховується за виразом



(c \* MERGEFORMAT HYPER140HYPER15.)HYPER15

Підставивши значення, отримаємо



Вихідна потужність розраховується як



AT (.)HYPER15

Тоді отримаємо



Повна споживана потужність в колі колектора обчислюється за виразом



ation.DSMT4 HYPER14HYPER15 (.)HYPER15

Підставивши значення, отримаємо



ККД кола колектора знайдемо як



(.)HYPER15

Тоді отримаємо



Далі розрахунок ведемо за сімейством вхідних характеристик. Оскільки у транзисторів вхідні характеристики розташовані близько друг від друга, то в якості робочої вхідної характеристики можно прийняти одну з статичних вхідних характеристик, яка відповідає активному режиму, характеристику, зняту при Uкэ = 9 В. Це можно зробити в тому випадку, якщо джерело підсилювальних коливань працює як генератор струму, тобто коли внутрішній опір джерела коливань значно більше вхідного опіру транзистора.





Рис. 1.2 – Вхідна характеристика транзистора



Амплітуда вхідної напруги розрахуємо за формулою



(.)HYPER15



Тоді користуючись вхідною характеристикою підставимо значення в 1.7 та отримаємо









Модель коефіцієнта посилення по напрузі обчислимо



(.)HYPER15

Підставивши значення, отримаємо



Коефіцієнт посилення по потужності знаходиться



(.)HYPER15

Тоді отримаємо



Вхідна потужність знаходиться як



(.)HYPER15



Вхідний опір розрахуємо за виразом 1.11



(.)HYPER15

Підставивши значення, отримаємо



Для робочої точки підсилювача знаходимо параметри h21э, h22э,

Rвых=1/h22э, h11э, S=y21э.





(.)HYPER15





Користуючись вхідною характеристикою визначимо



(.)HYPER15

Тоді, підставивши значення в 1.13 отримаємо



Параметр h11э визначимо



(.)HYPER15

тоді



Крутизна характеристики транзистора розрахується як



(1.15)

тоді, підставивши значення в 1.15 отримаємо



Список використаної літератури



К.С. Лабец „ Електронні прилади ” , Київ-1974р.

В.В Пасинков , Л.К.Чиркін „ Полупровідникові прилади ” , Москва-1987р.

В.Н.Дулін „ Електронні прилади ” , Москва-1977р.

І.П.Степаненко „ Основи мікроелектроніки ” ,Москва-1980р.

В.Г.Гусєв , Ю.М. Гусєв „ Електроніка ” , Москва-1991р.

Н.А.Аваєв , Ю.Є.Наумов ,В.Т.Фролкін „Основи мікроелектроніки ” , Москва-1991р.

А.Л.Булычёв, П.М.Ляпин, Е.С.Тулинов-Электронные приборы, ЛТД, Москва,2002г.

В.М. Петухов. Транзисторы и их зарубежные аналоги. Т.1-3, Изд-во РадиоСофт, Москва,1999



РТП . 103. 016 ПЗ

РТП .053. 023 ПЗ



6



Арк.



Дата



Підпис



№ докум.



Арк.



Змн.



ІРТ, РТ-103



9



Листов



Лит.



Пояснювальна записка



Затв.



РТП . 103. 016 ПЗ

РТП .052. 039 ПЗ

РТП .053. 023 ПЗ



8



Арк.



Дата



Підпис



№ докум.



Арк.



Змн.



РТП . 103. 016 ПЗ

РТП .052. 039 ПЗ

РТП .053. 023 ПЗ



Н. Контр.



Куценко О.П.



Перев.



Полонський СС.В.Долгий Р.О.



Розроб.



РТП .103. 016 ПЗ



2



Лист



Дата



Підпис



№ докум.



Лист



РТП . 103. 016 ПЗ



7



Арк.



Дата



Підпис



№ докум.



Арк.



Змн.



Зм.



РТП . 103. 016 ПЗ

РТП .053. 023 ПЗ



5



Арк.



Дата



Підпис



№ докум.



Арк.



Змн.



3



Арк.



Дата



Підпис



№ докум.



Арк.



РТП . 103. 016 ПЗ

РТП .052. 039 ПЗ

РТП .053. 023 ПЗ



9



Арк.



Дата



Підпис



№ докум.



Арк.



Змн.



РТП . 103. 016 ПЗ

РТП .053. 023 ПЗ



4



Арк.



Дата



Підпис



№ докум.



Арк.



Змн.



Змн.